ON Semiconductor MMBT2907A
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MMBT2907A
1807-MMBT2907A
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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TRANS PNP 60V 0.8A SOT-23
--最小包装量--
MMBT2907A详情
ON Semiconductor MMBT2907A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
供应商器件包装
SOT-23
质量
59.987591mg
Collector-Emitter Breakdown Voltage
60V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.6V
Current-Collector (Ic) (Max)
800mA
Number of Elements
1
hFEMin
50
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2017
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
-60V
最大功率耗散
350mW
额定电流
-800mA
频率
200MHz
基本部件号
MMBT2907
极性
PNP
电压
60V
元素配置
Single
电流
6A
功率耗散
350mW
功率 - 最大
350mW
增益带宽积
200MHz
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
-60V
最大集电极电流
-800mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 150mA 10V
最大集极截止电流
20nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1.6V @ 50mA, 500mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
60V
最高频率
200MHz
最大击穿电压
60V
频率转换
200MHz
集电极基极电压(VCBO)
-60V
发射极基极电压 (VEBO)
-5V
最大结点温度(Tj)
150°C
高度
1.2mm
长度
6.35mm
宽度
6.35mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
MMBT2907A拓展信息
ON Semiconductor
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