ON Semiconductor MMBT2907AWT1G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

工厂交货时间

5 Weeks

触点镀层

Tin

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SC-70, SOT-323

表面安装

YES

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-1.6V

Number of Elements

1

hFEMin

75

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

已出版

2004

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

-60V

最大功率耗散

150mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-600mA

频率

200MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

MMBT2907A

引脚数量

3

元素配置

Single

功率耗散

150mW

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

200MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

60V

最大集电极电流

600mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 150mA 10V

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.6V @ 50mA, 500mA

转换频率

200MHz

最大击穿电压

60V

集电极基极电压(VCBO)

60V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

接通时间-最大值(ton)

45ns

高度

700μm

长度

2.2mm

宽度

1.35mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅