ON Semiconductor MMBT3702

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

质量

30mg

Collector-Emitter Breakdown Voltage

25V

Collector-Emitter Saturation Voltage

250mV

Number of Elements

1

hFEMin

60

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电压 - 额定直流

-25V

最大功率耗散

350mW

额定电流

-800mA

频率

100MHz

元素配置

Single

功率耗散

350mW

增益带宽积

100MHz

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

25V

最大集电极电流

800mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

60 @ 50mA 5V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

250mV @ 5mA, 50mA

集电极基极电压(VCBO)

40V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅