ON Semiconductor MMBT3906LT1G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 19 hours ago)

工厂交货时间

10 Weeks

触点镀层

Tin

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

表面安装

YES

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

-40V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-250mV

Current-Collector (Ic) (Max)

200mA

Number of Elements

1

hFEMin

30

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2004

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

-40V

最大功率耗散

300mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

额定电流

-200mA

频率

250MHz

基本部件号

MMBT3906

引脚数量

3

元素配置

Single

功率耗散

225mW

增益带宽积

250MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

-40V

最大集电极电流

-200mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 10mA 1V

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

400mV @ 5mA, 50mA

转换频率

250MHz

最大击穿电压

40V

集电极基极电压(VCBO)

-40V

发射极基极电压 (VEBO)

-5V

最大结点温度（Tj）

150°C

VCEsat-最大值

0.4 V

接通时间-最大值(ton)

70ns

集电极-基极电容-最大值

4.5pF

高度

1.11mm

长度

2.9mm

宽度

1.3mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅