ON Semiconductor MMBT3906SL

生命周期状态

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工厂交货时间

4 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-923F

引脚数

3

质量

22mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

40V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-250mV

Number of Elements

1

hFEMin

100

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2012

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

227mW

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

频率

250MHz

基本部件号

MMBT3906

元素配置

Single

功率耗散

227mW

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

250MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

40V

最大集电极电流

200mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 10mA 1V

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

400mV @ 5mA, 50mA

转换频率

250MHz

最大击穿电压

40V

集电极基极电压(VCBO)

-40V

发射极基极电压 (VEBO)

-5V

接通时间-最大值(ton)

70ns

高度

380μm

长度

850μm

宽度

650μm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant