ON Semiconductor MMBT4403
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MMBT4403
1807-MMBT4403
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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MMBT4403 Series 40 V CE Breakdown 0.6 A PNP General Purpose Amplifier - SOT-23
--最小包装量--
MMBT4403详情
ON Semiconductor MMBT4403重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
供应商器件包装
SOT-23-3
质量
30mg
Collector-Emitter Breakdown Voltage
40V
Collector-Emitter Saturation Voltage
750mV
Current-Collector (Ic) (Max)
600mA
Number of Elements
1
Turn Off Delay Time
255 ns
hFEMin
100
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2016
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终端
SMD/SMT
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
-40V
最大功率耗散
350mW
额定电流
-600mA
频率
200MHz
基本部件号
MMBT4403
极性
PNP
元素配置
Single
功率耗散
350mW
接通延迟时间
35 ns
功率 - 最大
350mW
增益带宽积
200MHz
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
40V
最大集电极电流
600mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 150mA 2V
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
750mV @ 50mA, 500mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
40V
最高频率
200MHz
最大击穿电压
40V
频率转换
200MHz
集电极基极电压(VCBO)
-40V
发射极基极电压 (VEBO)
-5V
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
MMBT4403拓展信息
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