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首页 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 MMBT5089
MMBT5089
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ON Semiconductor MMBT5089

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型号

MMBT5089

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-MMBT5089

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

封装

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Bipolar (bjt) Single Transistor, NPN, 25 V, 50 Mhz, 350 Mw, 100 ma, 400 Rohs Compliant: Yes

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MMBT5089
MMBT5089 ON Semiconductor Bipolar (bjt) Single Transistor, NPN, 25 V, 50 Mhz, 350 Mw, 100 ma, 400 Rohs Compliant: Yes

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技术参数

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型号对比

ON Semiconductor MMBT5089重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 生命周期状态

    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 20 hours ago)

  • 工厂交货时间

    39 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

  • 引脚数

    3

  • 供应商器件包装

    SOT-23

  • 质量

    30mg

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    25V

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    500mV

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    100mA

  • Number of Elements

    1

  • hFEMin

    400

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2001

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 电压 - 额定直流

    25V

  • 最大功率耗散

    350mW

  • 额定电流

    100mA

  • 频率

    50MHz

  • 基本部件号

    MMBT5089

  • 极性

    NPN

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    350mW

  • 功率 - 最大

    350mW

  • 增益带宽积

    50MHz

  • 晶体管类型

    NPN

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    25V

  • 最大集电极电流

    100mA

  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

    400 @ 100μA 5V

  • 最大集极截止电流

    50nA ICBO

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

    500mV @ 1mA, 10mA

  • 电压 - 集射极击穿（最大值）

    25V

  • 最高频率

    50MHz

  • 最大击穿电压

    25V

  • 频率转换

    50MHz

  • 集电极基极电压(VCBO)

    30V

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    4.5V

  • 最大结点温度（Tj）

    150°C

  • 高度

    1.2mm

  • 长度

    2.9mm

  • 宽度

    1.3mm

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • 辐射硬化

    无

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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ISO13485
AS
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选择时请仔细核对商品参数信息

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