ON Semiconductor MMBT5089LT1

生命周期状态

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底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

25V

Collector-Emitter Saturation Voltage

500mV

Number of Elements

1

hFEMin

400

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

已出版

2001

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

低噪音

HTS代码

8541.21.00.95

电压 - 额定直流

25V

最大功率耗散

300mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

50mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

MMBT5089

引脚数量

3

资历状况

不合格

元素配置

Single

功率 - 最大

225mW

增益带宽积

50MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

25V

最大集电极电流

50mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

450 @ 1mA 5V

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 1mA, 10mA

转换频率

50MHz

集电极基极电压(VCBO)

30V

发射极基极电压 (VEBO)

4.5V

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅