ON Semiconductor MMBT5401
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MMBT5401
1807-MMBT5401
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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TRANS PNP 150V 0.6A SOT-23
--最小包装量--
MMBT5401详情
ON Semiconductor MMBT5401重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
工厂交货时间
31 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
供应商器件包装
SOT-23-3
质量
59.987591mg
Collector-Emitter Breakdown Voltage
150V
Collector-Emitter Saturation Voltage
-500mV
Current-Collector (Ic) (Max)
600mA
Number of Elements
1
hFEMin
60
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2004
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
-150V
最大功率耗散
350mW
额定电流
-600mA
频率
300MHz
基本部件号
MMBT5401
极性
PNP
电压
150V
元素配置
Single
电流
2A
功率耗散
350mW
功率 - 最大
350mW
增益带宽积
300MHz
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
-150V
最大集电极电流
-600mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
60 @ 10mA 5V
最大集极截止电流
50nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
500mV @ 5mA, 50mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
150V
最高频率
300MHz
最大击穿电压
150V
频率转换
300MHz
集电极基极电压(VCBO)
-160V
发射极基极电压 (VEBO)
-5V
最大结点温度(Tj)
150°C
高度
1.2mm
长度
2.9mm
宽度
1.3mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
MMBT5401拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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