ON Semiconductor MMBT6427

生命周期状态

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工厂交货时间

39 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

供应商器件包装

SOT-23-3 (TO-236)

质量

30mg

Collector-Emitter Breakdown Voltage

40V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.2V

Current-Collector (Ic) (Max)

1.2A

Number of Elements

1

hFEMin

20000

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2016

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

40V

最大功率耗散

350mW

额定电流

1.2A

基本部件号

MMBT6427

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

350mW

功率 - 最大

350mW

晶体管类型

NPN - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

40V

最大集电极电流

1.2A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

14000 @ 500mA 5V

最大集极截止电流

1μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 500μA, 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

40V

最大击穿电压

40V

集电极基极电压(VCBO)

40V

发射极基极电压 (VEBO)

12V

高度

930μm

长度

2.92mm

宽度

1.3mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅