ON Semiconductor MMBT6429LT1

生命周期状态

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安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

45V

Collector-Emitter Saturation Voltage

600mV

Number of Elements

1

hFEMin

500

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

已出版

2005

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

50V

最大功率耗散

225mW

额定电流

200mA

频率

700MHz

基本部件号

MMBT6429

引脚数量

3

元素配置

Single

功率耗散

300mW

增益带宽积

700MHz

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

45V

最大集电极电流

200mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

500 @ 100μA 5V

最大集极截止电流

100nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

600mV @ 5mA, 100mA

集电极基极电压(VCBO)

55V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

辐射硬化

无

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅