ON Semiconductor MMBTA14LT1G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 20 hours ago)

工厂交货时间

11 Weeks

触点镀层

Tin

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

表面安装

YES

引脚数

3

质量

1.437803g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

30V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.5V

Number of Elements

1

hFEMin

10000

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2006

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

30V

最大功率耗散

225mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

额定电流

300mA

基本部件号

MMBTA14

引脚数量

3

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

300mW

晶体管应用

AMPLIFIER

无卤素

无卤素

晶体管类型

NPN - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

30V

最大集电极电流

300mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

20000 @ 100mA 5V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 100μA, 100mA

转换频率

125MHz

最大击穿电压

30V

频率转换

125MHz

集电极基极电压(VCBO)

30V

发射极基极电压 (VEBO)

10V

连续集电极电流

300mA

高度

940μm

长度

2.9mm

宽度

1.3mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅