ON Semiconductor MMBTA64
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MMBTA64
1807-MMBTA64
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Trans Darlington PNP 30V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
--最小包装量--
MMBTA64详情
ON Semiconductor MMBTA64重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
工厂交货时间
14 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
供应商器件包装
SOT-23
质量
30mg
Collector-Emitter Breakdown Voltage
30V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.5V
Current-Collector (Ic) (Max)
1.2A
Number of Elements
1
hFEMin
20000
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2011
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
-30V
最大功率耗散
350mW
额定电流
-1.2A
基本部件号
MMBTA64
极性
PNP
元素配置
Single
功率耗散
350mW
功率 - 最大
350mW
晶体管类型
PNP - Darlington
集电极发射器电压(VCEO)
30V
最大集电极电流
1.2A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
20000 @ 100mA 5V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1.5V @ 100μA, 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
30V
最大击穿电压
30V
频率转换
125MHz
集电极基极电压(VCBO)
30V
发射极基极电压 (VEBO)
10V
高度
930μm
长度
2.92mm
宽度
1.3mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
MMBTA64拓展信息
ON Semiconductor
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