ON Semiconductor MMBZ16VALT1G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

工厂交货时间

4 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

二极管元件材料

SILICON

Breakdown Voltage / V

16V

Number of Elements

2

Reverse Stand-off Voltage

13V

操作温度

-55°C~150°C

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2014

容差

±5%

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

HTS代码

8541.10.00.50

最大功率耗散

225mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

参考标准

IEC-61000-4-2

配置

1 Pair Common Anode

元素配置

共阳极

二极管类型

跨压抑制二极管

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

900mV @ 10mA

最大反向漏电电流

50nA

箝位电压

23V

峰值脉冲电流

1.7A

峰值脉冲功率

40W

方向

单向

测试电流

1mA

齐纳电压

16V

最小击穿电压

15.2V

高度

1mm

长度

2.9mm

宽度

1.3mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅