ON Semiconductor MPS4124G
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MPS4124G
1807-MPS4124G
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
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TRANS NPN 25V 0.2A TO-92
1最小包装量--
MPS4124G详情
ON Semiconductor MPS4124G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
25V
Collector-Emitter Saturation Voltage
300mV
Number of Elements
1
hFEMin
120
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Bulk
已出版
2009
JESD-609代码
e1
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
电压 - 额定直流
25V
最大功率耗散
625mW
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
200mA
频率
170MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
MPS4124
引脚数量
3
资历状况
不合格
元素配置
Single
功率耗散
625W
晶体管应用
AMPLIFIER
增益带宽积
170MHz
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
25V
最大集电极电流
200mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
120 @ 2mA 1V
最大集极截止电流
50nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 5mA, 50mA
转换频率
170MHz
集电极基极电压(VCBO)
30V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
MPS4124G拓展信息
ON Semiconductor
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