ON Semiconductor MPS4250ARLRM

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

40V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-250mV

Number of Elements

1

hFEMin

250

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Box (TB)

已出版

2006

JESD-609代码

e0

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

电压 - 额定直流

-40V

最大功率耗散

625mW

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

-10mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

MPS4250

引脚数量

3

资历状况

不合格

元素配置

Single

功率耗散

625W

功率 - 最大

625mW

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

250mV

最大集电极电流

50mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

250 @ 10mA 5V

最大集极截止电流

10nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

250mV @ 500μA, 10mA

最大击穿电压

40V

集电极基极电压(VCBO)

-40V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅