ON Semiconductor MPS751

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

工厂交货时间

6 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

引脚数

3

质量

201mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60V

Collector-Emitter Saturation Voltage

500mV

Number of Elements

1

hFEMin

75

操作温度

150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2002

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

-60V

最大功率耗散

625mW

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

额定电流

-2A

频率

75MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

MPS751

引脚数量

3

元素配置

Single

功率耗散

625mW

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

75MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

60V

最大集电极电流

2A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

75 @ 1A 2V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 200mA, 2A

转换频率

75MHz

最大击穿电压

80V

集电极基极电压(VCBO)

-80V

发射极基极电压 (VEBO)

-5V

高度

4.58mm

长度

4.58mm

宽度

3.86mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅