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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.75413
10
¥0.711443
100
¥0.671173
500
¥0.633182
1000
¥0.597342
ON Semiconductor MPSA05RA
- 收藏
- 对比
MPSA05RA
1807-MPSA05RA
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
大陆
立即发货

Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
MPSA05RA详情
ON Semiconductor MPSA05RA重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
工厂交货时间
15 Weeks
触点镀层
Copper, Silver, Tin
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
引脚数
3
质量
201mg
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
60V
Collector-Emitter Saturation Voltage
250mV
Number of Elements
1
hFEMin
100
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2002
JESD-609代码
e1
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
电压 - 额定直流
60V
最大功率耗散
625mW
端子位置
BOTTOM
额定电流
500mA
频率
100MHz
基本部件号
MPSA05
元素配置
Single
功率耗散
625mW
晶体管应用
AMPLIFIER
增益带宽积
100MHz
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
60V
最大集电极电流
500mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 100mA 1V
最大集极截止电流
100μA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
250mV @ 10mA, 100mA
转换频率
100MHz
最大击穿电压
60V
集电极基极电压(VCBO)
60V
发射极基极电压 (VEBO)
4V
高度
4.58mm
长度
4.58mm
宽度
3.86mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
MPSA05RA拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor







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