ON Semiconductor MPSA13RA
- 收藏
- 对比
MPSA13RA
1807-MPSA13RA
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
大陆
立即发货

TRANS NPN DARL 30V 1.2A TO-92
1最小包装量--
MPSA13RA详情
ON Semiconductor MPSA13RA重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
引脚数
3
供应商器件包装
TO-92-3
质量
201mg
Collector-Emitter Breakdown Voltage
30V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.5V
Current-Collector (Ic) (Max)
1.2A
Number of Elements
1
hFEMin
10000
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
30V
最大功率耗散
625mW
额定电流
1.2A
基本部件号
MPSA13
极性
NPN
元素配置
Single
功率耗散
625mW
功率 - 最大
625mW
晶体管类型
NPN - Darlington
集电极发射器电压(VCEO)
30V
最大集电极电流
1.2A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
10000 @ 100mA 5V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1.5V @ 100μA, 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
30V
频率转换
125MHz
集电极基极电压(VCBO)
30V
发射极基极电压 (VEBO)
10V
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
MPSA13RA拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor








哦! 它是空的。