ON Semiconductor MPSA20

生命周期状态

OBSOLETE (Last Updated: 1 day ago)

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

引脚数

3

供应商器件包装

TO-92-3

质量

201mg

Collector-Emitter Breakdown Voltage

40V

Collector-Emitter Saturation Voltage

250mV

Current-Collector (Ic) (Max)

100mA

hFEMin

40

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2006

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-65°C

电压 - 额定直流

40V

最大功率耗散

625mW

额定电流

500mA

基本部件号

MPSA20

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

625mW

功率 - 最大

625mW

增益带宽积

125MHz

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

40V

最大集电极电流

100mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 5mA 10V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

250mV @ 1mA, 10mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

40V

最大击穿电压

40V

频率转换

125MHz

集电极基极电压(VCBO)

4V

发射极基极电压 (VEBO)

4V

辐射硬化

无

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

无铅