ON Semiconductor MPSA42G

生命周期状态

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安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

表面安装

NO

引脚数

3

质量

4.535924g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

300V

Collector-Emitter Saturation Voltage

500mV

Number of Elements

1

hFEMin

25

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

已出版

1998

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

电压 - 额定直流

300V

最大功率耗散

625mW

端子位置

BOTTOM

额定电流

500mA

频率

50MHz

基本部件号

MPSA42

引脚数量

3

元素配置

Single

功率耗散

625mW

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

50MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

300V

最大集电极电流

500mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

25 @ 1mA 10V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 2mA, 20mA

转换频率

50MHz

集电极基极电压(VCBO)

300V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

高度

5.33mm

长度

5.2mm

宽度

4.19mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅