ON Semiconductor MPSA77

生命周期状态

OBSOLETE (Last Updated: 1 day ago)

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

安装类型

通孔

底架

通孔

引脚数

3

质量

201mg

晶体管元件材料

SILICON

hFEMin

10000

Number of Elements

1

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.5V

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60V

已出版

2009

包装

Bulk

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

电压 - 额定直流

-60V

最大功率耗散

625mW

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

-1.2A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

MPSA77

引脚数量

3

资历状况

不合格

极性

PNP

元素配置

Single

功率耗散

625mW

晶体管应用

AMPLIFIER

晶体管类型

PNP - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

60V

最大集电极电流

500mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

10000 @ 100mA 5V

最大集极截止电流

500nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 100μA, 100mA

转换频率

100MHz

最大击穿电压

60V

集电极基极电压(VCBO)

-60V

发射极基极电压 (VEBO)

-10V

连续集电极电流

-500mA

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

无铅