ON Semiconductor MPSW01

底架

通孔

包装/外壳

TO-226

引脚数

3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

30V

Collector-Emitter Saturation Voltage

500mV

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1W

hFEMin

55

包装

Bulk

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

30V

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

额定电流

1A

频率

50MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

引脚数量

3

资历状况

不合格

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

1W

增益带宽积

50MHz

集电极发射器电压(VCEO)

30V

最大集电极电流

1A

转换频率

50MHz

频率转换

50MHz

集电极基极电压(VCBO)

40V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

最小直流增益（hFE）

50

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅