ON Semiconductor MSB710-RT1

表面安装

YES

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

安装类型

表面贴装

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Current-Collector (Ic) (Max)

500mA

已出版

2006

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

150°C TJ

JESD-609代码

e0

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.21.00.75

电压 - 额定直流

-50V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

-500mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

功率 - 最大

200mW

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

120 @ 150mA 10V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

600mV @ 30mA, 300mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

50V

转换频率

200MHz

最大耗散功率(Abs)

0.2W

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅