ON Semiconductor MSB92AS1WT1G

工厂交货时间

13 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SC-70, SOT-323

表面安装

YES

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

300V

Number of Elements

1

hFEMin

25

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2010

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

150mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

频率

50MHz

基本部件号

MSB92W

引脚数量

3

元素配置

Single

功率耗散

150mW

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

50MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

300V

最大集电极电流

500mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

120 @ 1mA 10V

最大集极截止电流

250nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 2mA, 20mA

转换频率

50MHz

集电极基极电压(VCBO)

300V

发射极基极电压 (VEBO)

-5V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant