ON Semiconductor MTB50P03HDLT4G

生命周期状态

ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 3 days ago)

工厂交货时间

17 Weeks

触点镀层

Tin

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

表面安装

YES

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

50A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.5W Ta 125W Tc

Turn Off Delay Time

90 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2006

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

电阻

25MOhm

附加功能

雪崩 额定

电压 - 额定直流

-30V

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-50A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

125W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

22 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

25m Ω @ 25A, 5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4900pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

100nC @ 5V

上升时间

340ns

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±15V

下降时间（典型值）

218 ns

连续放电电流(ID)

50A

阈值电压

1.5V

栅极至源极电压(Vgs)

15V

漏源击穿电压

-30V

高度

4.83mm

长度

10.29mm

宽度

9.65mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅