ON Semiconductor MUN2111T1

底架

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Number of Elements

1

hFEMin

35

包装

Cut Tape (CT)

已出版

2006

JESD-609代码

e0

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn80Pb20)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

附加功能

BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1

电压 - 额定直流

-50V

最大功率耗散

230mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

-100mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

不合格

极性

PNP

元素配置

Single

功率耗散

230mW

晶体管应用

SWITCHING

集电极发射器电压(VCEO)

250mV

最大集电极电流

100mA

最小直流增益（hFE）

35

连续集电极电流

100mA

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅