ON Semiconductor MUN2132T1G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)

工厂交货时间

2 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

表面安装

YES

引脚数

3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Number of Elements

1

hFEMin

15

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2013

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

附加功能

BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1

电压 - 额定直流

-50V

最大功率耗散

230mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

-100mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

资历状况

不合格

极性

PNP

元素配置

Single

功率耗散

338mW

晶体管应用

SWITCHING

无卤素

无卤素

晶体管类型

PNP - Pre-Biased

集电极发射器电压(VCEO)

50V

最大集电极电流

100mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

15 @ 5mA 10V

最大集极截止电流

500nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

250mV @ 1mA, 10mA

电阻基(R1)

4.7 k Ω

连续集电极电流

100mA

电阻-发射极基极(R2)

4.7 k Ω

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅