NCP5109BDR2G
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ON Semiconductor NCP5109BDR2G

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型号

NCP5109BDR2G

utmel 编号

1807-NCP5109BDR2G

商品类别

PMIC - 栅极驱动器

封装

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET DRVR 0.5A 2-OUT Hi/Lo Side Non-Inv 8-Pin SOIC T/R

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NCP5109BDR2G
NCP5109BDR2G ON Semiconductor MOSFET DRVR 0.5A 2-OUT Hi/Lo Side Non-Inv 8-Pin SOIC T/R

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NCP5109BDR2G详情

ON Semiconductor NCP5109BDR2G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

  • 工厂交货时间

    10 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

  • 引脚数

    8

  • Driver Configuration

    Half-Bridge

  • Logic voltage-VIL, VIH

    0.8V 2.3V

  • 操作温度

    -40°C~125°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2010

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    8

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 电压 - 供电

    10V~20V

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 功能数量

    1

  • 电源电压

    15V

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 引脚数量

    8

  • 资历状况

    不合格

  • 最大输出电流

    500mA

  • 电源

    15V

  • 最大电源电流

    5mA

  • 输入类型

    Non-Inverting

  • 接通延迟时间

    170 ns

  • 无卤素

    无卤素

  • 上升/下降时间(Typ)

    85ns 35ns

  • 信道型

    Independent

  • 驱动器数量

    2

  • 接通时间

    0.17 μs

  • 闸门类型

    IGBT, N-Channel MOSFET

  • 峰值输出电流(源极,漏极)

    250mA 500mA

  • 关断时间

    0.17 μs

  • 内置保护器

    UNDER VOLTAGE

  • 高压侧电压-最大值(自举)

    200V

  • 输出电流流向

    水槽

  • 长度

    4.9mm

  • 座位高度(最大)

    1.75mm

  • 宽度

    3.9mm

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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