ON Semiconductor NDD60N360U1-35G

生命周期状态

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工厂交货时间

17 Weeks

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

表面安装

NO

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

11A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

114W Tc

Turn Off Delay Time

26 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2002

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

引脚数量

3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

10 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

360m Ω @ 5.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

790pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

26nC @ 10V

上升时间

20ns

Vgs（最大值）

±25V

下降时间（典型值）

22 ns

连续放电电流(ID)

11A

栅极至源极电压(Vgs)

25V

漏源击穿电压

600V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

44A

雪崩能量等级（Eas）

64 mJ

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅