ON Semiconductor NGB8206NTF4
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NGB8206NTF4
1807-NGB8206NTF4
晶体管 - IGBT - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Trans IGBT Chip N-CH 390V 20A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R
--最小包装量--
NGB8206NTF4详情
ON Semiconductor NGB8206NTF4重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
Collector-Emitter Breakdown Voltage
390V
Number of Elements
1
Test Conditions
300V, 9A, 1k Ω, 5V
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2009
JESD-609代码
e0
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
2 (1 Year)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
最高工作温度
175°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
400V
最大功率耗散
150W
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
240
Reach合规守则
not_compliant
额定电流
20A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
NGB8206
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
箱体转运
COLLECTOR
输入类型
Logic
晶体管应用
汽车点火装置
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
1.9V
最大集电极电流
20A
接通时间
6500 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
1.9V @ 4.5V, 20A
关断时间-标准值(toff)
18500 ns
集极脉冲电流(Icm)
50A
Td(开/关)@25°C
-/5μs
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
无铅
含铅
NGB8206NTF4拓展信息
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