NGTB10N60FG
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ON Semiconductor NGTB10N60FG

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型号

NGTB10N60FG

utmel 编号

1807-NGTB10N60FG

商品类别

晶体管 - IGBT - 单个

封装

TO-220-3 Full Pack

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 3-Pin(3 Tab) TO-220F Tube

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NGTB10N60FG
NGTB10N60FG ON Semiconductor Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 3-Pin(3 Tab) TO-220F Tube

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NGTB10N60FG详情

ON Semiconductor NGTB10N60FG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

  • 工厂交货时间

    4 Weeks

  • 底架

    通孔

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-220-3 Full Pack

  • 引脚数

    3

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    600V

  • Test Conditions

    300V, 10A, 30 Ω, 15V

  • 操作温度

    150°C TJ

  • 包装

    Tube

  • 已出版

    2012

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 最大功率耗散

    40W

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 元素配置

    Single

  • 输入类型

    Standard

  • 功率 - 最大

    40W

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    600V

  • 最大集电极电流

    20A

  • 反向恢复时间

    70 ns

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)

    1.7V @ 15V, 10A

  • 闸门收费

    55nC

  • 集极脉冲电流(Icm)

    72A

  • Td(开/关)@25°C

    40ns/145ns

  • 栅极-发射极电压-最大值

    20V

  • 栅极-发射极Thr电压-最大值

    6.5V

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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技术文档: ON Semiconductor NGTB10N60FG.

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右边的3个型号有着和ON Semiconductor & NGTB10N60FG相似的参数规格。

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NGTB10N60FG拓展信息

HGTG30N60A4D
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FGH40N60UFDTU
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FGH40N60SMD
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ON Semiconductor

HGTG5N120BND
HGTG5N120BND

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FGA25N120ANTDTU-F109
FGA25N120ANTDTU-F109

ON Semiconductor

HGTG20N60B3D
HGTG20N60B3D

ON Semiconductor

HGTG12N60A4D
HGTG12N60A4D

ON Semiconductor

FGA25N120ANTDTU
FGA25N120ANTDTU

ON Semiconductor

HGTG20N60A4D
HGTG20N60A4D

ON Semiconductor

HGTP5N120BND
HGTP5N120BND

ON Semiconductor

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