ON Semiconductor NGTB20N120IHWG

生命周期状态

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工厂交货时间

4 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Test Conditions

600V, 20A, 10 Ω, 15V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.2V

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV

操作温度

-40°C~175°C TJ

包装

Tube

已出版

2014

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

341W

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

元素配置

Single

输入类型

Standard

功率 - 最大

341W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

2.65V

最大集电极电流

40A

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.65V @ 15V, 20A

关断时间-标准值（toff)

395 ns

IGBT类型

沟渠现场停车

闸门收费

150nC

集极脉冲电流（Icm）

80A

Td（开/关）@25°C

-/170ns

开关能量

480μJ (off)

长度

16.25mm

宽度

5.3mm

高度

21.4mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅