ON Semiconductor NGTB25N120SWG

生命周期状态

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工厂交货时间

26 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV

Collector-Emitter Saturation Voltage

2V

Test Conditions

600V, 25A, 10 Ω, 15V

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

已出版

2014

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

385W

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

元素配置

Single

输入类型

Standard

功率 - 最大

385W

集电极发射器电压(VCEO)

2.4V

最大集电极电流

50A

反向恢复时间

154 ns

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.4V @ 15V, 25A

IGBT类型

Trench

闸门收费

178nC

集极脉冲电流（Icm）

100A

Td（开/关）@25°C

87ns/179ns

开关能量

1.95mJ (on), 600μJ (off)

高度

21.4mm

长度

16.25mm

宽度

5.3mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅