NGTB45N60S2WG
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ON Semiconductor NGTB45N60S2WG

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型号

NGTB45N60S2WG

utmel 编号

1807-NGTB45N60S2WG

商品类别

晶体管 - IGBT - 单个

封装

TO-247

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

ON SEMICONDUCTOR NGTB45N60S2WG IGBT Single Transistor, 90 A, 2 V, 300 W, 600 V, TO-247, 3 Pins

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NGTB45N60S2WG
NGTB45N60S2WG ON Semiconductor ON SEMICONDUCTOR NGTB45N60S2WG IGBT Single Transistor, 90 A, 2 V, 300 W, 600 V, TO-247, 3 Pins

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NGTB45N60S2WG详情

ON Semiconductor NGTB45N60S2WG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)

  • 工厂交货时间

    4 Weeks

  • 底架

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-247

  • 引脚数

    3

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    600V

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    2V

  • 包装

    Tube

  • 已出版

    2014

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 最高工作温度

    175°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 最大功率耗散

    300W

  • 元素配置

    Single

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    2.3V

  • 最大集电极电流

    90A

  • 反向恢复时间

    498 ns

  • 高度

    21.4mm

  • 长度

    16.25mm

  • 宽度

    5.3mm

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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NGTB45N60S2WG拓展信息

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HGTP5N120BND
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