注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥13.434557
10
¥12.674112
100
¥11.956708
500
¥11.279915
1000
¥10.641425
ON Semiconductor NGTB45N60SWG
- 收藏
- 对比
NGTB45N60SWG
1807-NGTB45N60SWG
晶体管 - IGBT - 单个
TO-247-3
大陆
立即发货

Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 3-Pin TO-247 Tube
--最小包装量--
¥
总价: ¥
NGTB45N60SWG详情
ON Semiconductor NGTB45N60SWG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 1 day ago)
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600V
Test Conditions
400V, 45A, 10 Ω, 15V
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
已出版
2014
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最大功率耗散
250W
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
元素配置
Single
输入类型
Standard
功率 - 最大
250W
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
2.4V
最大集电极电流
90A
反向恢复时间
376 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.4V @ 15V, 45A
IGBT类型
沟渠现场停车
闸门收费
134nC
集极脉冲电流(Icm)
180A
Td(开/关)@25°C
70ns/144ns
开关能量
550μJ (off)
栅极-发射极电压-最大值
20V
栅极-发射极Thr电压-最大值
6.5V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
NGTB45N60SWG拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor









哦! 它是空的。