ON Semiconductor NGTB50N60FL2WG

生命周期状态

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)

工厂交货时间

5 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Test Conditions

400V, 50A, 10 Ω, 15V

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

已出版

2014

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

417W

元素配置

Single

输入类型

Standard

功率 - 最大

417W

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

2V

最大集电极电流

100A

反向恢复时间

94 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2V @ 15V, 50A

IGBT类型

沟渠现场停车

闸门收费

220nC

集极脉冲电流（Icm）

200A

Td（开/关）@25°C

100ns/237ns

开关能量

1.5mJ (on), 460μJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

6.5V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅