ON Semiconductor NGTB50N60FLWG

生命周期状态

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安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

表面安装

NO

引脚数

3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.65V

Test Conditions

400V, 50A, 10 Ω, 15V

Turn Off Delay Time

292 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2013

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

223W

引脚数量

3

元素配置

Single

功率耗散

223W

输入类型

Standard

接通延迟时间

116 ns

无卤素

无卤素

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

600V

最大集电极电流

100A

反向恢复时间

85ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

1.9V @ 15V, 50A

IGBT类型

沟渠现场停车

闸门收费

310nC

集极脉冲电流（Icm）

200A

Td（开/关）@25°C

116ns/292ns

开关能量

1.1mJ (on), 600μJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

6.5V

高度

21.08mm

长度

16.26mm

宽度

5.3mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅