ON Semiconductor NGTB50N60FWG

生命周期状态

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包装/外壳

TO-247

表面安装

NO

引脚数

3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.45V

Turn Off Delay Time

285 ns

包装

Tube

已出版

2011

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

最大功率耗散

223W

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

元素配置

Single

功率耗散

223W

接通延迟时间

117 ns

无卤素

无卤素

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

600V

最大集电极电流

100A

反向恢复时间

77 ns

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

6.5V

高度

21.4mm

长度

16.25mm

宽度

5.3mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅