ON Semiconductor NGTB75N65FL2WG

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

工厂交货时间

24 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

650V

Test Conditions

400V, 75A, 10 Ω, 15V

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

已出版

2014

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

595W

元素配置

Single

输入类型

Standard

功率 - 最大

595W

集电极发射器电压(VCEO)

2V

最大集电极电流

100A

反向恢复时间

80 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2V @ 15V, 75A

IGBT类型

沟渠现场停车

闸门收费

310nC

集极脉冲电流（Icm）

200A

Td（开/关）@25°C

110ns/270ns

开关能量

1.5mJ (on), 1mJ (off)

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅