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首页 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 单个 NGTD30T120F2WP
NGTD30T120F2WP
NGTD30T120F2WP

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ON Semiconductor NGTD30T120F2WP

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型号

NGTD30T120F2WP

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-NGTD30T120F2WP

商品类别

晶体管 - IGBT - 单个

封装

Die

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE

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NGTD30T120F2WP
NGTD30T120F2WP ON Semiconductor IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE

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NGTD30T120F2WP详情

技术参数

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ON Semiconductor NGTD30T120F2WP重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)

  • 工厂交货时间

    32 Weeks

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    Die

  • 操作温度

    -55°C~175°C TJ

  • 包装

    Bulk

  • 已出版

    2016

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 输入类型

    Standard

  • 电压 - 集射极击穿（最大值）

    1200V

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

    2.4V @ 15V, 40A

  • IGBT类型

    沟渠现场停车

  • 集极脉冲电流（Icm）

    200A

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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公司资质

ISO13485
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