ON Semiconductor NGTG25N120FL2WG

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

工厂交货时间

4 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV

Number of Elements

1

Test Conditions

600V, 25A, 10 Ω, 15V

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

已出版

2000

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

385W

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSFM-T3

元素配置

Single

输入类型

Standard

功率 - 最大

385W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

2.4V

最大集电极电流

50A

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

接通时间

178 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.4V @ 15V, 25A

关断时间-标准值（toff)

430 ns

IGBT类型

沟渠现场停车

闸门收费

178nC

集极脉冲电流（Icm）

100A

Td（开/关）@25°C

87ns/179ns

开关能量

1.95mJ (on), 600μJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

6.5V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅