ON Semiconductor NJL1302D

生命周期状态

OBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-264-5

引脚数

5

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

260V

Current-Collector (Ic) (Max)

15A

Number of Elements

1

hFEMin

75

操作温度

-65°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2006

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn80Pb20)

附加功能

HIGH RELIABILITY

电压 - 额定直流

-260V

最大功率耗散

200W

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

-25A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

引脚数量

5

资历状况

不合格

元素配置

Single

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

30MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

3V

最大集电极电流

15A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

75 @ 5A 5V

最大集极截止电流

50μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

3V @ 1A, 10A

转换频率

30MHz

集电极基极电压(VCBO)

260V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅