ON Semiconductor NJL21194DG

生命周期状态

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底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-264-5

引脚数

5

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

250V

Number of Elements

1

操作温度

-65°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2006

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

250V

最大功率耗散

200W

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

16A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

5

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

4V

最大集电极电流

16A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

25 @ 8A 5V

最大集极截止电流

100μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

4V @ 3.2A, 16A

转换频率

4MHz

频率转换

4MHz

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅