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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥13.62654
10
¥12.855229
100
¥12.127571
500
¥11.441107
1000
¥10.793495
ON Semiconductor NJVMJB44H11T4G
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- 对比
NJVMJB44H11T4G
1807-NJVMJB44H11T4G
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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TRANS NPN 80V 10A D2PAK-3
--最小包装量--
¥
总价: ¥
NJVMJB44H11T4G详情
ON Semiconductor NJVMJB44H11T4G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
工厂交货时间
4 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
表面安装
YES
引脚数
3
Collector-Emitter Breakdown Voltage
80V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1V
Number of Elements
1
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2005
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最大功率耗散
2W
频率
50MHz
基本部件号
MJB44H11
引脚数量
3
元素配置
Single
功率耗散
2W
增益带宽积
50MHz
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
80V
最大集电极电流
10A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
40 @ 4A 1V
最大集极截止电流
10μA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1V @ 400mA, 8A
集电极基极电压(VCBO)
10V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
高度
4.83mm
长度
10.29mm
宽度
11.05mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
NJVMJB44H11T4G拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor







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