ON Semiconductor NJVMJD31CT4G
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NJVMJD31CT4G
1807-NJVMJD31CT4G
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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TRANS NPN 100V 3A DPAK-4
--最小包装量--
NJVMJD31CT4G详情
ON Semiconductor NJVMJD31CT4G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
工厂交货时间
8 Weeks
触点镀层
Tin
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
表面安装
YES
引脚数
3
Collector-Emitter Breakdown Voltage
100V
Number of Elements
1
hFEMin
10
操作温度
-65°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101
已出版
2005
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
15W
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
频率
3MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
3
配置
Single
功率耗散
1.56W
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
40V
最大集电极电流
3A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
25 @ 1A 4V
最大集极截止电流
50μA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1.2V @ 375mA, 3A
转换频率
3MHz
最大击穿电压
100V
集电极基极电压(VCBO)
100V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
NJVMJD31CT4G拓展信息
ON Semiconductor
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