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价格梯度

内地含税价

1

￥6.04257
10

￥5.70054
100

￥5.377868
500

￥5.073459
1000

￥4.78628

ON Semiconductor NJVMJD31T4G

Name: NJVMJD31T4G
Brand: ON Semiconductor
SKU: 1807-NJVMJD31T4G
Price: 6.04 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

NJVMJD31T4G

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-NJVMJD31T4G

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

封装

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans GP BJT NPN 40V 3A Automotive 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R

起订量

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NJVMJD31T4G ON Semiconductor Trans GP BJT NPN 40V 3A Automotive 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R

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技术参数

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型号对比

ON Semiconductor NJVMJD31T4G重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
工厂交货时间

8 Weeks
安装类型

表面贴装
包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
表面安装

YES
引脚数

3
质量

260.39037mg
Collector-Emitter Breakdown Voltage

40V
Collector-Emitter Saturation Voltage

1.2V
Number of Elements

1
hFEMin

10
操作温度

-65°C~150°C TJ
包装

Tape & Reel (TR)
已出版

2010
JESD-609代码

e3
无铅代码

yes
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
ECCN 代码

EAR99
端子表面处理

Tin (Sn)
最大功率耗散

1.56W
频率

3MHz
引脚数量

3
配置

Single
功率耗散

1.56W
增益带宽积

3MHz
极性/通道类型

NPN
晶体管类型

NPN
集电极发射器电压(VCEO)

40V
最大集电极电流

3A
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

10 @ 3A 4V
最大集极截止电流

50μA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.2V @ 375mA, 3A
转换频率

3MHz
集电极基极电压(VCBO)

40V
发射极基极电压 (VEBO)

5V
连续集电极电流

3A
辐射硬化

无
RoHS状态

ROHS3 Compliant
无铅

无铅

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NJVMJD31T4G拓展信息

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