ON Semiconductor NJVMJD45H11T4G

工厂交货时间

8 Weeks

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

表面安装

YES

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

安装类型

表面贴装

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

hFEMin

60

Number of Elements

1

Collector-Emitter Saturation Voltage

1V

Collector-Emitter Breakdown Voltage

80V

系列

Automotive, AEC-Q101

已出版

2006

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

1.75W

终端形式

鸥翼

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

1.75W

晶体管应用

SWITCHING

无卤素

无卤素

增益带宽积

90MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

80V

最大集电极电流

8A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

60 @ 2A 1V

最大集极截止电流

1μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 400mA, 8A

转换频率

90MHz

最大击穿电压

80V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅