ON Semiconductor NSB13211DW6T1G

生命周期状态

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底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Number of Elements

2

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2008

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1

HTS代码

8541.21.00.95

最大功率耗散

230mW

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

6

资历状况

不合格

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR

功率 - 最大

230mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN和PNP

晶体管类型

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

集电极发射器电压(VCEO)

250mV

最大集电极电流

100mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

35 @ 5mA 10V / 15 @ 5mA 10V

最大集极截止电流

500nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

250mV @ 300μA, 10mA / 250mV @ 1mA, 10mA

电阻基(R1)

4.7k Ω, 10k Ω

电阻-发射极基极(R2)

4.7k Ω, 10k Ω

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅