ON Semiconductor NSB9435T1G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

工厂交货时间

2 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

表面安装

YES

引脚数

4

Collector-Emitter Breakdown Voltage

30V

Number of Elements

1

hFEMin

125

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2007

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

附加功能

BUILT-IN BIAS RESISTOR

电压 - 额定直流

-30V

最大功率耗散

720mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

3mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

4

极性

PNP

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

AMPLIFIER

晶体管类型

PNP - Pre-Biased

集电极发射器电压(VCEO)

30V

最大集电极电流

3A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

125 @ 800mA 1V

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

550mV @ 300mA, 3A

转换频率

110MHz

频率转换

110MHz

电阻基(R1)

10 k Ω

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅